Приложения. Основные параметры некоторых типов транзисторов малой мощности тип транзистора структура транзистора fгр

1 2 3 4

Приложение 1

Основные параметры некоторых типов транзисторов малой мощности

Тип транзистора

Структура транзистора

fгр, МГц

h₂₁э min

h₂₁э max

Максимально допустимые значения

I _КБО мкА

Ск max, пФ

r’б, Ом

Рк max, мВт

Uкб max, В

Uкэ max, В

Iк max, мА

t пер ^оС

КТ312А

npn

КТ312B

npn

КТ315В

npn

КТ350А

pnp

КТ316B

npn

0.5

КТ361Г

pnp

0,5

КТ 347А

pnp

КТ 357 Г

рnp

КТ3107А

рnp

0,1

КТ3102А

npn

0,05

КТ 340Б

npn

КТ 342Г

npn

0,05

КТ345А

рnp

КТ 301Д

npn

Приложение 2

Шкала номинальных значений сопротивлений и емкостей

Точность	5 %	1,0	1,1	1,2	1,3	1,5	1,6	1,8	2,0	2,2	2,4	2,7	3,0
10 %	1,0		1,2		1,5		1,8		2,2		2,7
20 %	1,0				1,5				2,2
Точность	5 %	3,3	3,6	3,9	4,3	4,7	5,1	5,6	6,2	6,8	7,5	8,2	9,1
10 %	3,3		3,9		4,7		5,6		6,8		8,2
20 %	3,3				4,7				6,8

Номиналы сопротивлений и емкостей больше 10 получаются умножением чисел этой шкалы на 10, 100, 1000 и т.д.

Современные электролитические конденсаторы выпускаются с номинальными емкостями, соответствующими шкале с 20 % разбросом, а выпускаемые ранее имеют шкалу 1,2, 5, 10, 20, 50,100, 200, 500, 1000, 2000, 5000 мкФ.

Приложение 3

Основные данные некоторых непроволочных постоянных резисторов типов МЛТ, УЛМ, МОН.

Тип	Номинальная мощность, Вт	Пределы номинальных значений величины сопротивлений	Допустимые отклонения от номинального значения, %
МЛТ - 0,25	0,25	100 Ом - 3 МОм	5, 10, 20
МЛТ - 0,5	0,5	100 Ом - 5,1 МОм	5, 10, 20
МЛТ 1,0	1,0	100 Ом - 10 МОм	5, 10, 20
МЛТ 2,0	2,0	100 Ом - 10 МОм	5, 10, 20
УЛМ	0,12	27 Ом - 1 МОм	5, 10, 20
МОН - 0,5	0,5	1 Ом - 100 Ом	5, 10
МОН -1	1,0	1 Ом - 100 Ом	5, 10
МОН - 2	2,0	1 Ом - 100 Ом	5, 10