2020-01-14
95
3.1 Включаем программу.
3.2 Выбираем резистор: R1.
3.3 Устанавливаем напряжение: 1В.
3.4 Устанавливаем предел шкалы: От 0 до 20 mA.
3.5 Измеряем.
3.6 Снимаем показания амперметра:» 3.7 mA.
3.7 Устанавливаем ноль и повторяем пункты с 3.3 по 3.6.
3.8 Сводим полученные данные в таблицу:
Для R1:
| U, B | 1 | 5 | 0 | 15 | 20 |
| I, mA | 3.7 | 8.5 | 7 | 55.6 | 74.1 |
Для R2:
| U, B | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 |
| I, mA) | 0.67 | 3.3 | 6.67 | 10 | 13.3 |
Для R3:
| U, B | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 |
| I, mA | 0.18 | 0.89 | 1.78 | 2.68 | 3.57 |
Для R4:
| U, B | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 |
| I, mA | 0.63 | 3.13 | 6.25 | 9.38 | 12.5 |
Для R5:
| U, | 1 | 5 | 10 | 15 | 20 |
| I, mA | 0.33 | 1.67 | 3.33 | 5 | 6.67 |
Строим ВАХ для резисторов.
Для R1:
Для R2:
Для R3:
 |
Для R4:
Для R5:
3.9 Находим проводимость G для резисторов:
3.10 Определяем сопротивление данного материала:
3.11 Определяем удельное сопротивление резистивного материала. Для резисторов поверхностного типа цилиндрической формы без спиральной нарезки R1 применяем формулу:
Для резисторов поверхностного типа цилиндрической формы со спиральной нарезкой R2 применяем формулу:
|
|
|
Аналогично для резистора R3 поверхностного типа цилиндрической формы без спиральной нарезки применяем формулу:
Для резисторов поверхностного типа цилиндрической формы со спиральной нарезкой R4 применяем формулу:
Определяем R5 для резисторов проволочного типа:
 |
3.12 Сравниваем полученные результаты удельного сопротивления резистивных материалов со значениями удельных сопротивлений материалов, приведенных в таблице 20.
3.13 Делаем выводы о проделанной работе по нахождению удельного сопротивления материала.
Вывод: сравнивая полученные расчеты ρ с табличными данными, можно свести наши результаты в таблицу 21, где мы видим, какая марка резистора соответствует материалу, следовательно, наша работа прошла успешна.
Таблица 21. Результат сравнения
| Номер резистора | Марка | Посчитанное удельное сопротивление ρ, мкОм∙м | Материал | Удельное сопротивление материала ρ, мкОм∙м |
| R1 | ОМЛТ | 36,74 | Кремниевый сплав РС | 25…50 |
| R2 | МТ | 0,45 | Кремниевый сплав МЛТ | 0,15…5,3 |
| R3 | С1-4 | 8,1 | Поликристаллический графит | 7…10 |
| R4 | ВС | 14,4 | Пиролитический углерод | 10…20 |
| R5 | ПЭВ Х-74 | 1,1 | Нихром | 1…1,2 |
Заключение
 |
В итоге разработанная нами программа на основе одноименного аналогичного по функциональности собранного стенда студентами группы 401ПТРС Ротина А. и Потапенко Р. функционирует правильно, так как при его проверке она давала правильные измерения, позволяющие построить линейную зависимость тока от напряжения. Линейная зависимость получилась потому, что были использованы данные постоянных резисторов. С помощью программы мы провели методику лабораторной работы. Нами было найдено сопротивление и удельное сопротивление резистора, по построенной ВАХ. Также определили материал, по найденному удельному сопротивлению, исходя из теоретических данных. Мы разработали описание методики проведения лабораторной работы. Описали достаточные теоретические сведения, позволяющие студентам с легкостью пользоваться программой и решать поставленные задачи в ходе выполнения лабораторной работы.
|
|
|
