Одной из главных проблем при определении распределения электронной плотности является нахождение атомно-рассеивающего фактора f(s), связанный со структурным фактором и, соответственно, интегральной интенсивностью дифракционных максимумов и интенсивностью первичного пучка. [28]
Экспериментальное значение структурного фактора определялось из выражения:
(3.2.1)
где I 0 – интенсивность первичного пучка, l – длина волны рентгеновского излучения, h – высота приемной щели, w – ширина приемной щели, r – расстояние от образца до детектора, m – линейный коэффициент поглощения исследуемого вещества, P o – поляризационный фактор, Р 0=0.5(1+cos22J), р – фактор повторяемости, V – объем элементарной ячейки, J – угол брегговского рассеяния, DJ =J2-J1, - геометрический множитель, I hkl – интегральная интенсивность рефлекса, которая находилась по методике описанной в. [29]