В производстве полупроводниковых приборов и ИМС широко используются тонкие металлические пленки. Их применяют для изготовления тонкопленочных резисторов и конденсаторов, металлических дорожек (межсоединений) и контактных площадок. В зависимости от назначения элементов ИМС используют пленки из платины, золота, серебра, никеля, хрома, меди, алюминия, молибдена и др.
Процесс формирования межсоединений в ИМС складывается из двух этапов: металлизации и фотолитографии по металлической пленке.
Металлизация - это нанесение на кремниевую пластину, на которой уже
сформированы структуры, сплошной металлической пленки.
Фотолитография по металлической пленке обеспечивает требуемую форму (конфигурацию) металлических дорожек, а также формирует по краю кристалла ИМС контактные площадки, необходимые для присоединения ИМС к внешним выводам корпуса.
1 - кристалл ИМС
2 - металлическая дорожка
(межсоединение)
3 - контактная площадка
4 - внешний проволочный вывод корпуса ИМС
|
|
Металл, используемый для получения межсоединений, должен отвечать следующим требованиям:
1. Иметь высокую проводимость (хорошо проводить электрический ток);
2. Иметь хорошую адгезию к Si и к пленке SiО2,
3. Не подвергаться коррозии и окислению;
4. Не образовывать химических соединений с кремнием;
5. Быть прочным, дешевым.
Наиболее полно этим требованиям отвечает высокочистый алюминий (марки А 99).
Наибольшее распространение получили следующие методы нанесения тонких пленок: термическим испарением материалов в вакууме, ионным распылением и ионно - термическим испарением.
Урок