Идеализированный контакт полупроводник-полупроводник

В большинстве случаев p-n переход можно идеализировать, т.е. полностью пренебречь наличием свободных носителей в переходе и считать границы перехода идеально резкими. Переход в целом нейтрален: положит. заряд в левой части равен отрицательному в правой. Но плотности зарядов отличаются, т.к. разные концентрации примесей. Различны протяженности обедненных слоев: в слое с меньшей концентрацией примеси область объемного заряда шире.

Область перехода является наиболее высокоомной частью всей диодной структуры, потому что внутри перехода есть участок с собственной концентрацией носителей.