2015-05-22
632
Задержку выключения можно устранить полностью, если избежать насыщения транзистора. Для этого коллектор транзистора n-p-n – типа должен всегда иметь положительный потенциал относительно базы (Uкб > 0).
Однако при включении транзистора база получает положительный потенциал со стороны входа ключа, а положительный потенциал коллектора убывает по мере увеличения коллекторного тока, так что напряжение Uкб может стать отрицательным. Условие Uкб > 0 выполняется в каскаде (рис.6), в котором ща счет диода VD реализована нелинейная отрицательная обратная связь(ООС). В отсутствие положительных управляющих импульсов транзистор VT и диод VD заперты – обратная связь отсутствует.
В настоящее время в качестве диодов, включаемых в цепь обратной связи, чаще (особенно в интегральных схемах) используются диоды Шоттки, у которых отсутствует накопление, а значит, и рассасывание неосновных носителей в базе. Такие ключи обладают максимальным быстродействием. Более подробно об указанных типах транзисторных ключей можно узнать в литературе [2, 3].
