2015-06-14
856
|
Примечание: Воздействия за пределами указанных в таблице режимов могут привести к выходу прибора из строя. Указанные режимы являются стрессовыми и постоянная работа приборов в этих и других режимах за пределами, указанными в спецификациях, недопустима. Длительное воздействие предельных режимов может привести к снижению надежности приборов.
Характеристики по постоянному току
TA = от -40°C до 85°C, VCC = от 2,7 В до 6,0 В (если не оговорено другое)
| Обо-знач. | Параметр | Условия | Мин | Тип | Макс | Ед. из-мерен. |
| VIL | Входное напряжение низкого уровня | -0,5 | 0,3 VCC | В | ||
| VIL1 | Входное напряжение низкого уровня | XTAL | -0,5 | 0,2 VCC | В | |
| VIH | Входное напряжение высокого уровня | Исключая (XTAL, RESET) | 0,6 VCC | VCC +0,5 | В | |
| VIH1 | Входное напряжение высокого уровня | XTAL | 0,8 VCC | VCC +0,5 | В | |
| VIH2 | Входное напряжение высокого уровня | RESET | VCC | VCC +0,5 | В | |
| V OL | Выходное напряжение низкого уровня (1). Порты A, B, C, D | I OL = 20 мА, V CC = 5В I OL = 10 мА, V CC = 3В | 0,6 0,5 В | B | ||
| VOH | Выходн. напряжение высокого уровня. Порты A, B, C, D | IOH = -3 мА, VCC = 5В IOH = -1,5мА, VCC = 3В | 4,2 2,3 | В | ||
| IIL | Входной ток утечки вывода I/O | VCC = 6В, низкий уровень | -8,0 | 8,0 | мкА | |
| IIH | Входной ток утечки вывода I/O | VCC = 6 В, высокий уровень | -8,0 | 8,0 | мкА | |
| RRST | Нагрузочный резистор сброса | кОм | ||||
| RI/O | Нагрузочный резистор I/O | кОм | ||||
| ICC | Потребляемый ток в режимах: | Активный, 4 МГц, VCC =3 В(2) | 3,0 | мА | ||
| Idle, 4 МГц, VCC =3 В | 1,0 | 1,2 | мА | |||
| Power Down, 4 МГц, VCC =3 В, WDT разрешен | 8,5 | мкА | ||||
| Power Down, 4 МГц, VCC =3 В, WDT запрещен | < 1 | 2,0 | мкА | |||
| VACIO | Напряжение смещения входа аналогового компаратора | VCC = 5 В | мВ | |||
| IACLK | Утечка по входу аналогового компаратора | VCC = 5 В, VIN = VCC/2 | -50 | нА | ||
| tACPD | Задержка аналогового компаратора | VCC = 2,7 В, VCC = 4,0 В | 750 500 | нс |
Примечания:
|
|
|
- В установившемся режиме (не в переходном) значения IOL должны внешними средствами ограничиваться на уровне:
Максимальный IOL на каждом выводе порта - 10 мА
Максимальный IOL по всем выводам выхода - 300 мА
Порт A - 26 мА
Порты A, B, D - 15 мА
В случае превышения тестовых величин IOL величина VOL может превысить соответствующие значения.
Не гарантируется вытекающий ток вывода больше указанного. - При тактовой частоте XTAL = 4 МГц тактовая частота шины тоже 4 МГц.
- Минимальное значение VCC в режиме Power Down составляет 2 В.
Таблица 39. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 4,0 до 6,0 В, без состояния ожидания
|
|
|
| Обозн. | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | Ед. измер. | |||
| Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
| 1/tCLCL | Частота генератора | 0,0 | 8,0 | МГц | |||
| tLHLL | Ширина импульса ALE | 32,5 | 0,5tCLCL -30,0 | нс | |||
| tAVLL | Действительность адреса A до низкого ALE | 22,5 | 0,5tCLCL -40,0 | нс | |||
| 3a | tLLAX_ST | Удержание адреса после низкого ALE, команды ST/STD/STS | 67,5 | 0,5tCLCL -5,0 | нс | ||
| 3b | tLLAX_LD | Удержание адреса после низкого ALE, команды LD/LDD/LDS | 15,0 | 15,0 | нс | ||
| tAVLLC | Действительность адреса C до низкого ALE | 22,5 | 0,5tCLCL -40,0 | нс | |||
| tAVRL | Действительность адреса до низкого RD | 95,0 | 1,0tCLCL -30,0 | нс | |||
| tAVWL | Действительность адреса до низкого WR | 157,5 | 1,5tCLCL -30,0 | нс | |||
| tLLWL | Низкий ALE до низкого WR | 105,0 | 1,0tCLCL -20,0 | 1,0tCLCL +20,0 | нс | ||
| tLLRL | Низкий ALE до низкого RD | 42,5 | 82,5 | 0,5tCLCL -20,0 | 0,5tCLCL +20,0 | нс | |
| tDVRH | Установка данных до высокого RD | 60,0 | 60,0 | нс | |||
| tRLDV | Низкое чтение до действительных данных | 70,0 | 1,0tCLCL -55,0 | нс | |||
| tRHDX | Удержание данных после высокого RD | 0,0 | 0,0 | нс | |||
| tRLRH | Ширина импульса RD | 105,0 | 1,0tCLCL -20,0 | нс | |||
| tDVWL | Установка данных до низкого WR | 27,5 | 0,5tCLCL -35,0 | нс | |||
| tWHDX | Удержание данных после высокого WR | 0,0 | 0,0 | нс | |||
| tDVWH | Действительность данных до высокого WR | 95,0 | 1,0tCLCL -30,0 | нс | |||
| tWLWH | Ширина импульса WR | 42,5 | 0,5tCLCL -20,0 | нс |
Таблица 40. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 4,0 до 6,0 В, состояния ожидания 1 цикл
| Обозн. | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | Ед. измер. | |||
| Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
| 1/tCLCL | Частота генератора | 0,0 | 8,0 | МГц | |||
| tRLDV | Низкое чтение до действительных данных | 195,0 | 2,0tCLCL -55,0 | нс | |||
| tRLRH | Ширина импульса RD | 230,0 | 2,0tCLCL -20,0 | нс | |||
| tDVWH | Действительность данных до высокого WR | 220,0 | 2,0tCLCL -30,0 | нс | |||
| tWLWH | Ширина импульса WR | 167,5 | 1,5tCLCL -20,0 | нс |
Рис. 68. Временные диаграммы тактирования внешней памяти
Примечание: Тактовый цикл T3 присутствует только в том случае, когда разрешено состояние ожидания внешней SRAM.
