Временная диаграмма внешнего тактового сигнала

Таблица 41. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 2,7 до 6,0 В, без состояния ожидания

  Обозн. Параметр Генератор 8 МГц Настраиваемый генератор Ед. измер.
Мин Макс Мин Макс
  1/tCLCL Частота генератора     0,0 4,0 МГц
  tLHLL Ширина импульса ALE 70,0   0,5tCLCL -55,0   нс
  tAVLL Действительность адреса A до низкого ALE 60,0   0,5tCLCL-65,0   нс
3a tLLAX_ST Удержание адреса после низкого ALE, команды ST/STD/STS 130,0   0,5tCLCL -65,0   нс
3b tLLAX_LD Удержание адреса после низкого ALE, команды LD/LDD/LDS 15,0   15,0   нс
  tAVLLC Действительность адреса C до низкого ALE 60,0   0,5tCLCL-65,0   нс
  tAVRL Действительность адреса до низкого RD 200,0   1,0tCLCL -50,0   нс
  tAVWL Действительность адреса до низкого WR 325,0   1,5tCLCL -50,0   нс
  tLLWL Низкий ALE до низкого WR 230,0 270,0 1,0tCLCL -20,0 1,0tCLCL +20,0 нс
  tLLRL Низкий ALE до низкого RD 105,0 145,0 0,5tCLCL -20,0 0,5tCLCL +20,0 нс
  tDVRH Установка данных до высокого RD 95,0   95,0   нс
  tRLDV Низкое чтение до действительных данных 170,0   1,0tCLCL -80,0   нс
  tRHDX Удержание данных после высокого RD 0,0   0,0   нс
  tRLRH Ширина импульса RD 230,0   1,0tCLCL -20,0   нс
  tDVWL Установка данных до низкого WR 70,0   0,5tCLCL -55,0   нс
  tWHDX Удержание данных после высокого WR 0,0   0,0   нс
  tDVWH Действительность данных до высокого WR 210,0   1,0tCLCL -40,0   нс
  tWLWH Ширина импульса WR 105,0   0,5tCLCL -20,0   нс

Таблица 42. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 2,7 до 6,0 В, состояния ожидания 1 цикл

  Обозн. Параметр Генератор 8 МГц Настраиваемый генератор Ед. измер.
Мин Макс Мин Макс
  1/tCLCL Частота генератора     0,0 8,0 МГц
  tRLDV Низкое чтение до действительных данных   420,0   2,0tCLCL -20,0 нс
  tRLRH Ширина импульса RD 480,0   2,0tCLCL -20,0   нс
  tDVWH Действительность данных до высокого WR 460,0   2,0tCLCL -40,0   нс
  tWLWH Ширина импульса WR 355,5   1,5tCLCL -20,0   нс

Временные характеристики внешнего тактового сигнала

Обозн. Параметр VCC =2,7 до 6,0 В VCC =4,0 до 6,0 В Ед. изм.
1/tCLCL Частота тактового генератора         МГц
tCLCL Период тактовой частоты         нс
tCHCX Длительность по высокому уровню         нс
tCLCX Длительность по низкому уровню         нс
tCLCH Длительность нарастающегофронта   1,6   0,5 мкс
tCHCL Длительность падающего фронта   1,6   0,5 мкс

Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: