Розробка елементів бібліотеки

Вибір елементної бази проводиться на основі вимог, викладених у технічному завданні. Критерієм вибору електрорадіоелементів (ЕРЕ) у будь-якому радіоелектронному пристрої є відповідність технологічних і експлуатаційних характеристик ЕРЕ заданим умовам роботи й експлуатації. Розглянемо елементну базу, яка використовується для створення друкованої плати.

Резистори

Зовнішній вигляд резистора показано на малюнку 1.2. Розміри та максимальна робоча напруга резисторів даного типу залежать від їх потужності. Чим більше потужність – тим більші розміри резистора і тим більша його максимальна робоча напруга.

Рис. 1.2 Резистор

Таблиця 1.3 – Розміри та максимальна робоча напруга резисторів

Потужність, Вт	L	D	H	d	Максимальна робоча напруга, В
0.125	3.6 + 0.3	1.8 + 0.2	28 + 2.0	0.48 + 0.03

Таблиця1.4 – Характеристики резисторів даного типу

Потужність, Вт	0,125; 0,25; 0,5; 1,0; 2,0; 3,0
Діапазон опорів	від 1Ом до 22 МОм
Точність	2% - 5%
Шуми	0.2 мкВ/В
Діапазон робочих температур	Від -55 до +125 ⁰С
Мінімальний наробіток	15000 годин
Вага (не більше)	0,15 г

1. Захисне покриття, компаунд.

2. Плівка з вуглеводним елементом.

3. Місце сварки вивода.

4. Кріплення виводу за допомогою металевого ковпака.

5. Теплопровідна високотемпературна кераміка. Рис. 1.3 Структура

6. Кольорова манкіровка.

7. Мідний вивід покритий оловом.

Діод КД522А (1N4148)

Зовнішній вигляд якого показано на рисунку. Цей діод виконаний у скляному корпусі.

Рис. 1.4 – Зовнішній вигляд діода КД522А (1N4148) та його розміри

Таблиця1.5 – Характеристики діода КД522А

Постійна пряма напруга при 218 К (не більше)	1 В
Постійний зворотній струм	5 мкА
Прямий струм (максимум)	0,15 А
Загальна ємність діода (не більше)	4 пФ
Постійна зворотна напруга	100 В
Температура переходу	398 К
Діапазон робочих температур	-65…150 ⁰C
Вага діода (не більше)	0,17 г.
Матеріал	кремній
Спосіб монтажу	в отвори
Корпус	DO35
Вага	0,30 г.

Діод КД243А (1N4001)

Рис. 1.5 Зовнішній вигляд діода КД243А (1N4001) та його розміри

Таблиця 1.6 – Характеристики діода КД243А

Постійна пряма напруга при 218 К (не більше)	1,1 В
Постійний зворотній струм	5 мкА
Прямий струм (максимум)	1 А
Максимально допустимий прямий імпульсний струм	30 А
Загальна ємність діода (не більше)	4 пФ
Постійна зворотна напруга	50 В
Імпульсна зворотна напруга	60 В
Температура переходу	398 К
Діапазон робочих температур	-65…150 ⁰C
Вага діода (не більше)	0,20 г.
Матеріал	кремній
Спосіб монтажу	в отвори
Корпус	DO204AL
Вага	0,33 г.

Конденсатори

Конденсатори типу К73-17, зовнішній вигляд якого показаний на малюнку 3.5. Безіндуктивний, ізольований, з підвищеною вологостійкістю. Покриття забезпечує високу стійкість до температур і вологості.

Рис. 1.6 Зовнішній вигляд конденсатора типу К73-17

Таблиця 1.7 – Характеристики конденсатора типу К73-17

Діапазон робочих температур	-40…+85
Робоча напруга, В	Постійного струму 100, 250, 400, 630
Діапазон номінальних ємностей	0,01 пФ …6,8 мкФ
Коефіцієнт розсіювання	0,01 (при 1 кГц)
Опір ізоляції	C<0,33 мкФ - R>15 МОм; C>0,33 мкФ - R>5 МОм
Вага	0,2 г.

Електролітичний конденсатор ECAP (K50-35) 16В

Конденсатор електролітичний - це конденсатор з більшим зарядом і енергією. Містить в якості однієї з обкладинок електроліт або напівпровідник, а в якості другої – стальну пластинку, покриту оксидним шаром. Має більшу удільну ємність. Найчастіше використовується в електричних фільтрах НЧ при напругах до 600 В. Зовнішній вигляд та розміри електролітичних конденсаторів показано на рисунку 4.6.

Рис. 1.7 Розміри та зовнішній вигляд електролітичного конденсатора MKP 339 X2

Таблиця 1.8 – Розміри електролітичного конденсатора MKP 339 X2

D
P	2.0	2.5	3.5	5.0	5.0	7.5	7.5	12.5
d	0.5	0.6	0.8	1.0	1.0
L

Таблиця 1.9 – Технічні характеристики конденсаторів даного типу

Робоча напруга	16…250 В
Діапазон номінальних ємностей	1 нФ – 1700 мкФ
Допустиме відхилення від номінальної ємності	± 20 %
Тангенс кута втрат	15 %
Струм витоку, max	15 мкА
Діапазон температур, С	-40…+85
Вага	0,32 г.

Світлодіоди АЛ307БМ. Світловипромінюючий діод в метало-скляних корпусах з напрямленим випромінюванням.

Таблиця 1.10 – Технічні характеристики світло діода АЛ307БМ

Довжина хвилі, нм
Мінімальна сила світла Iv хв., мКд	0,9
Максимальна сила світла Iv макс., мКд	0,9
при струмі Іпр., мА
Видимий тілесний кут, град	20
Розмір лінзи, мм	5,3
Максимальна пряма напруга, В
Максимальна зворотна напруга, В
Максимальний прямий струм, мА
Робоча температура, ⁰С	-60... +70
Вага, г	0,5
Інтенсивність відмов, 1/год	0,2·10^-6

Рис. 1.8 Зовнішній вигляд та габаритні розміри світло діода АЛ307БМ

78L09- позитивний регулятор напруги

L78L00 серія трьох-термінальних позитивних регулятор напруги, що використовує внутрішнє обмеження по струму і перегріву, що робить їх по суті непорушними. Якщо є добре забезпечення від перегріву, вони можуть забезпечити до 100 мА вихідного струму. Вони призначені в якості фіксованої напруги в широкому спектрі, включають регулювання для усунення шуму. Вони можуть бути використані для виготовлення потужнострумових стабілізаторів напруги.

Рис. 1.9 Зовнішній вигляд та габаритні розміри 78L09

Таблиця 1.11 – Характеристики 78L09

Вхідна напруга (мах)	40 В
Вихідний струм (мах)	100 мА
Напруга до відмови	45 В
Температура експлуатації	-40 … +125 ⁰С
Вихідна напруга шуму	60 мкВ
Струм спокою	6 мА
Зміна струму спокою	0,1 мА
Вага	0,35 г.

Транзистор S9012

Таблиця 1.12 – Характеристики транзистора S9012

Матеріал n-p переходу	Si
Структура транзистора	n-p-n
Постійна потужність розсіювання (мах)	400 мВт
Постійна напруга колектор-база (мах)	25 В
Постійна напруга колектор-емітер (мах)	25 В
Постійна напруга емітер-база (мах)	3 В
Постійний струм колектора транзистора	400 мА
Температура p-n переходу (мах)	135⁰С
Гранична частота коеф. Передачі струму	50 МГц
Ємність колекторного переходу	3,5 пФ
Статичний коефіцієнт передачі струму у схемі з спільним емітером	64 … 202
Товщина виводі	0,5
Корпус	ТО92
Вага	0,3 г.

Рис. 1.10 Габаритні розміри транзистора S9012

Транзистор 2SС458(КТ3102)

Високочастотний транзистор.

Таблиця 1.13 – Характеристики транзистора 2SС458

Структура транзистора	n-p-n
напруга колектор-база (мах)	30 В
напруга колектор-емітер (мах)	30 В
напруга емітер-база (мах)	5 В
струм колектора транзистора	2 мА
Струм емітера	2 мА
Температура p-n переходу (мах)	+150 ⁰С
Колектор розсіює потужність	200 мВт
f_{граничне}	150 МГц
Pкmax(т), Вт	0.25
h21э	200-500
Кш, дБ
Iкбо, мкА	0.015
Коефіцієнт передачі струму
Температура експлуатації транзистора	-55 … +150 ⁰С
Вага	0,31 г.

Рис. 1.11 Габаритні розміри та зовнішній вигляд транзистора 2SС458

Реле SRD-12VDC-SL-C

Рис. 1.12 Зовнішній вигляд реле SRD-12VDC-SL-C

Таблиця 1.14 – Характеристики реле SRD-12VDC-SL-C

Номінальне навантаження	10А 250VAC/28VDC, 10А 125VAC/28VDC, 10А 125VAC/28VDC
Опір контакту (мах)	100 Ом
Номінальна напруга котушки	3 – 48 В
Температура експлуатації	-25 … +70 ⁰С
Форма монтажу	В отвори
Потужність	0.36 Вт … 0.45 Вт