Содержание германия в земной коре невелико и составляет 7∙10- 4 %.
Не реагирует Ge с разбавленными и концентрированными кислотами, растворяется в смесях азотной и плавиковой кислот, в царской водке (смесь НN03 и HCl). В расплавленном состоянии не активен, не реагирует с кварцем, керамикой, не смачивает графит. Ge твердый, но хрупкий материал, легко раскалывается при ударе, изгибе. Германий не прозрачен для видимого света, а для ИК-лучей прозрачен при λ>1,8 мкм.
Из исходного сырья получают тетрахлорид германия GеСl4 и путем дальнейшей переработки – двуокись германия GeO2, из которого восстановлением водородной печи при температуре 650-700°С получают элементарный германий в виде серого порошка.
При Т> 600°С на воздухе Ge окисляется. Двуокись германия GeO2 легко растворяется в воде и не может выполнять те функция, что SiO2 на Si, поэтому планарные транзисторы на Ge выполняют при нанесении на его поверхность SiO2.
Легирование Ge, т.е. процесс контролируемого введения необходимой примеси, осуществляется в результате диффузии этих примесей. Температура диффузии (700-900)°С. Наибольшей скоростью диффузии обладают Au, Al, Sb, а наименьшей растворимостью - Al, Ga, P, As. Чаще всего для получения областей p-типа проводимости применяют акцепторы In, Ga, Al, а в качестве донорной примеси, т.е. для формирования областей n-типа проводимости - Sb и As.
Термообработка Ge может существенно изменять его электрические свойства. Если n-Ge нагреть до Т > 550°С, выдержать некоторое время, а затем быстро охладить (закалить), то изменится тип проводимости. Аналогичная термообработка для p-Ge приводит к снижению удельного сопротивления, без изменения типа проводимости.
Подвижность носителей заряда в слабо легированном Ge при комнатной температуре сравнительно высока. Это обусловливает его использование в ВЧ-диодах и транзисторах.
Области применения: НЧ- и ВЧ-транзисторы, мощные и маломощные, туннельные диоды, варикапы, точечные ВЧ, импульсные и СВЧ-диоды, датчики Холла, фототранзисторы, фотодиоды для ИК-лучей, счетчики ядерных частиц.