И интегральных микросхем
Современные отечественные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы обозначают кодом, состоящим из букв русского алфавита и цифр.
Первый элемент обозначения полупроводниковых приборов (буква или цифра) определяет исходный полупроводниковый материал: Г или 1 – германий; К или 2 – кремний; А или 3 – соединения галлия; И или 4 – соединения индия.
Второй элемент (буква) определяет подкласс прибора: Т – биполярные транзисторы; П – полевые транзисторы; Д – диоды выпрямительные; Ц – выпрямительные столбы и блоки; А – диоды сверхвысокочастотные; И – диоды туннельные; В – варикапы; С – стабилитроны; Н – тиристоры диодные; У – тиристоры триодные; Л – светоизлучающие приборы; О – оптоэлектронные пары.
Третий элемент (цифра) обозначает один из характерных признаков прибора (назначение, принцип действия и др.). Например, цифра третьего элемента маркировки транзистора указывает на его мощностные и частотные свойства. Маломощные транзисторы (с мощностью рассеяния до 0,3 Вт) обозначены цифрами 1 (низкочастотные до 3 МГц), 2 (среднечастотные до 30 МГц) и 3 (высоко- и сверхвысокочастотные свыше 30 МГц). Аналогично цифрами 4, 5, и 6 подразделены по частоте транзисторы средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт), а цифрами 7,8 и 9 – мощные транзисторы (свыше 1,5 Вт). При обозначении оптопар вместо цифр используют буквы: Р – резисторные оптопары; Д – диодные; У – тиристорные; Т – транзисторные.
|
|
Четвертый элемент (двузначное или трехзначное число) обозначает порядковый номер разработки прибора в данной серии.
Пятый элемент (буква) указывает на классификацию по параметрам (коэффициент передачи тока, напряжение стабилизации и др.).
В соответствии с указанной системой маркировки обозначение ГТЗО8В принадлежит германиевому (Г) транзистору (Т), высокочастотному, малой мощности (3), номер разработки 08, с коэффициентом передачи тока базы 50…120 (В); обозначение КД202Р соответствует кремниевому (К) выпрямительному диоду (Д) средней мощности (2), номер разработки 02, с максимально допустимым обратным напряжением 600 В (Р).
В обозначении полупроводниковых фотоэлектрических приборов первый элемент (две буквы) означает группу приборов: ФР – фоторезисторы, ФД – фотоприемники с p–n-переходом без усиления (фотодиоды).
Второй элемент (буквы) означает материал, из которого изготовлен прибор: ГО – германий; ГБ – германий, легированный бором. ГЗ – германий, легированный золотом; К – кремний; КГ – кремний, легированный галлием; РГ – арсенид галлия и т.д.
Третий элемент (трехзначное число) является порядковым номером разработки прибора.
|
|
Четвертый элемент (буква) означает подгруппу полупроводниковых фотоэлектрических приборов: У – фототранзисторы униполярные: Б – фототранзисторы биполярные; Л – фотодиоды лавинные; Т – фототиристоры и т.д.
Пример обозначения: ФДГЗ-001К – фотодиод из германия, легированного золотом, координатный, номер разработки 001.
Обозначение интегральных микросхем состоит из четырех элементов.
Первый элемент (цифра) обозначает группу ИМС: 1,5,7 – полупроводниковые; 2,4,6,8 – гибридные; 3 – прочие (например, пленочные).
Второй элемент (двух- или трехзначное число) означает номер разработки.
Третий элемент (две буквы) определяет подгруппу и вид ИМС по функциональному назначению: ЛИ – логический элемент И, ТД – триггер динамический, ИР – цифрой регистр и т.д.
Четвертый элемент – порядковый номер ИМС в серии по функциональному признаку.
Различные буквы (например, К, КР) перед условным обозначением некоторых серий микросхем определяют характерные их особенности. Для бескорпусных микросхем перед обозначением добавляют букву Б.
В качестве примера приведем условные обозначения полупроводниковой и гибридной ИМС. Так, микросхема К140УД14А означает: К – микросхема для электронных устройств широкого применения, 1 – полупроводниковая, 40 – порядковый номер серии(серия 140), УД – операционный усилитель, 14 – порядковый номер операционного усилителя в серии 140, А – с коэффициентом усиления определенного значения. Шифр микросхемы 284КН1 означает: 2 – гибридная, 84 – порядковый номер серии (серия 284), КН – коммутаторы, 1 – порядковый номер коммутатора в серии 284.
Вопросы для самопроверки:
1. Где применяются диоды Шоттки?
2. Что собой представляет варикап?
3. В чём заключаются различия передаточных характеристик полевых транзисторов с управляющим p–n переходом и с изолированным затвором?
4. В чём заключаются отличия IGBT-транзисторов от полевых транзисторов?
5. В чём заключаются отличия симистора от тиристора?
6. Какие транзисторы имеют более высокое быстродействие – БТИЗ или ПТИЗ.
АНАЛОГОВЫЕ УСТРОЙСТВА
Электронные устройства делятся на аналоговые и цифровые, гибридные. В современных системах управления различными процессами, в том числе и технологическими, присутствуют устройства обоих типов. Аналоговые устройства обычно обеспечивают съем первичной информации с датчиков системы управления приводами исполнительных устройств и механизмов, усиливают и преобразовывают сигналы, а цифровые устройства управляют самим процессом в соответствии с заданной программой.