Формирование топологии и подгонка резисторов

Формирование топологии по толстопленочной технологии выполняется при нанесении паст через трафареты.

Формирование топологии. по тонкопленочной технологии

Наиболее распространён способ осаждения через металлические сменные маски.

Рис. 2-13 Принцип метода сменных масок

а – маска для резисторов; б – напыленные резисторы; в – маска для проводников; г – напыленные цепочки проводников

Преимущество его в возможности изготовления перекрывающихся структур, особенно конденсаторов. При установке в подколпачном пространстве установки всех напыляемых подложек и масок можно за один цикл откачки полностью изготовить микросхему. Для изготовления сложных структур необходимо большое число масок точно совмещать с подложкой.

Недостаток способа - это сложность изготовления металлических масок со сверхтонкой структурой и точной установки их в трудноконтролируемых термических изменениях размеров в процессе термического испарения. Такие маски неплотно прилегают к подложке, поэтому частицы осаждаемого материала попадают под края маски и получают нечеткие контуры.

Напыленные через маски резисторы получают с точностью ±5% Для увеличения их точности применяют подгонку.

Для индивидуальной подгонки резисторов применяют электроэрозию, электронно-лучевую (ЭЛО) и лазерную бработку. В первом случае тонкой металлической иглой с небольшим усилием при напряжении 10-25 В искровым разрядом на плёнку выжигают ее участок шириной 10-100 мкм. При наложении УЗК улучшается эффективность обработки. При ЭЛО энергия 10⁸Вт/см²концентрируется на пятне диаметром 10^-5 см².

Недостаток - работа в вакууме. Экономически эффективен способ при больших партиях и высокой степени интеграции.

При лазерной подгонке вакуум не нужен, однако лучом трудно управлять. Механизацию выполняют здесь с помощью подвижного прецизионного стола для крепления подложки или подвижного отражателя; скорость подгонки здесь ниже, чем при ЭЛО.